紫外線試驗箱/紫外老化箱多能級陷阱模型
 
紫外線試驗箱/紫外老化箱對兩水平陷阱深度水平的模型對電荷特性進行研究，這種處理方式過于簡單，有時候不能準確地反映不同能級陷阱內(nèi)電荷的分布狀況。本節(jié)在國內(nèi)外學者研究基礎(chǔ)上，將兩陷阱分布模型擴展為多能級分布陷阱分布模型。
 
 
固體絕緣材料內(nèi)部存在一系列不同能量深度的陷阱，某些陷阱被電荷填充，而有部分處于空置狀態(tài)。對于不帶電的絕緣材料，由于本身的熱運動的，淺陷阱內(nèi)的電荷會被激發(fā)躍遷到導(dǎo)帶中。處于導(dǎo)帶上的電荷難以穩(wěn)定，它會向淺陷阱躍遷，同時釋放能量。陷阱中捕獲電荷的變化率。
 
 
紫外線試驗箱/紫外老化箱其中Nc是導(dǎo)帶中的有效陷阱密度，vth是電荷熱運動速率，Ethi是陷阱深度，k為玻爾茲曼常數(shù)，T為溫度。熱脫陷常數(shù)與電荷脫陷時間常數(shù)成反比關(guān)系，即熱脫陷常數(shù)越大，時間常數(shù)越小，電荷消散就也快。由此，在獲得PEA的空間電荷測量數(shù)據(jù)，根據(jù)式求得ni和kthi，進而求得與脫陷率常數(shù)相對應(yīng)的陷阱深度水平進而評估出材料內(nèi)部的陷阱能級深度和陷阱電荷密度參數(shù)。http://m.fc0523.cn